I/O效能升級
與96層快閃記憶體相比,I/O效能提高50%
晶圓容量加倍
1Tb晶圓,與96層快閃記憶體相比容量提升50%
3,000 次抹寫週期
3,000 次抹寫週期,耐用度有效支援高工作附載應用
高品質 NAND
與世界級領導原廠合作,穩定提供高品質記憶體與IC
良好熱能管理
動態熱能管理機制提升硬碟可靠度與散熱效能
類寬溫
穩定運作於-20℃~75℃環境,快速適應冷熱循環變化
耐用抗震
邊緣補強技術強化關鍵零件可靠度,防震防摔
嚴格品質把關
嚴謹可靠度測試、相容性測試、高低溫環境測試、高強度讀寫測試,確保最高穩定性與可靠性