PCIe M.2 SSDs

MTE710T

創見M.2固態硬碟MTE710T搭載PCIe Gen 4 x4介面,符合最新NVMe 1.4規範,帶來前所未有的傳輸效能;採用最新一代3D NAND技術,可堆疊高達112層快閃記憶體,相較於前一代3D NAND的96層堆疊,大幅突破單位密度上限,達到更高的儲存效益。創見MTE710T固態硬碟內建DRAM快取記憶體,提供絕佳的隨機存取速度,同時經過嚴格的廠內測試,達到3K抹寫次數的耐用度等級。MTE710T亦搭載30µ"金手指厚金鍍層PCB及邊緣補強(Corner Bond)技術,提供優異可靠的性能,同時具備類寬溫特性(-20°C~75°C),完美滿足任務密集型應用的需求。

韌體特點

  • 支援NVM指令
  • 內建SLC caching技術
  • 動態熱能管理機制
  • 內建LDPC ECC自動糾錯功能
  • 支援全區平均抹寫及故障區塊管理,增加可靠度
  • 支援垃圾資料回收機制
  • 支援S.M.A.R.T.監控功能,執行裝置健康監測、分析與報告
  • 支援TRIM指令
  • AES進階加密標準,可於硬體層面完整加密硬碟 (客製功能)

硬體特點

  • 符合RoHS規範
  • 符合PCI Express 3.1規範
  • 符合NVM Express 1.4規範
  • 符合新一代M.2規格 (長度: 80mm),適用於輕薄型行動裝置
  • PCIe Gen 4 x4 interface
  • 內建DDR4 DRAM快取記憶體
  • 耐用度為3K次抹寫週期 (P/E cycles)
  • 全系列產品搭載邊緣補強技術(Corner Bond),保護關鍵元件
  • 30µ"金手指厚鍍金工藝
  • 支援於類寬溫條件(-20℃到75℃)下運作
  • 支援創見Scope Pro軟體

規格

外觀

尺寸80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量10 g (0.35 oz)
外觀尺寸
  • M.2
M.2規格
  • 2280-D2-B-M (雙面打件)

介面

匯流排介面
  • NVMe PCIe Gen4 x4

存儲

Flash類型
  • 3D快閃記憶體
容量
  • 512 GB
  • 1 TB
  • 2 TB

操作環境

工作電壓
  • 3.3V±5%
工作溫度
  • 標準
    °C (°F) ~ °C (°F)
  • 類寬溫
    -20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)
  • 寬溫
    °C (°F) ~ °C (°F)
儲存溫度-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
濕度5% ~ 95%
耐衝擊
  • 1500 G, 0.5 ms, 3 axis
耐振動 (操作中)20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)

電量

耗電量 (操作中)4.9 瓦
耗電量 ((IDLE)1.52 瓦

效能

連續讀寫速度 (CrystalDiskMark)讀取: 高達 3,800 MB/s
寫入: 高達 3,200 MB/s
4K隨機讀寫速度 (IOmeter)讀取: 高達 500,000 IOPS
寫入: 高達 560,000 IOPS
平均故障間隔 (MTBF)5,500,000 小時
寫入兆位元組 (TBW)高達 3,400 TBW
每日全碟寫入次數 (DWPD)1.1 (3 年)
備註
  • 傳輸速度會因您的系統效能(硬體、軟體、使用方式、產品容量)而有所不同。
  • 用於評估DWPD數值的工作量可能與您的實際操作環境(硬體、軟體、使用方式、產品容量)不同。
  • 寫入兆位元組 (TBW) 數值以該系列產品最高容量為主。

保固

保固
  • 三年有限保固
保固政策
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  • 如產品於保固範圍內在Scope Pro軟體的wear-out indicator顯示耗損程度為0%時,則不適用。
  • 由於工業應用的多元性及複雜性,創見無法保證本產品完全相容於所有平台與使用情境。如有特殊需求及操作環境,建議您購買前先與我們聯繫。
  • Scope Pro軟體依需求提供,請與我們聯繫。

訂購資訊

512GB
  • TS512GMTE710T
1TB
  • TS1TMTE710T
2TB
  • TS2TMTE710T