112層3D快閃記憶體

第五代BiCS 3D NAND快閃記憶體突破96層堆疊的限制,將儲存顆粒垂直往上疊加達112層,更高的堆疊數象徵著更進階的儲存密度與傳輸,同時符合成本效益。創見將此技術搭載於三層式儲存單元(TLC),為工業用儲存裝置帶來更具競爭力的儲存表現。

高儲存密度

112層3D NAND快閃記憶體透過垂直疊加與橫向擴展的方式增加儲存密度,每單一晶圓密度提升了50%,單位顆粒容量來到了1Tb,與96層堆疊技術的512Gb相比,提高了近兩倍。在符合成本考量下,高儲存密度有效擴展儲存容量,提供資料量快速成長的5G、AIoT或資料中心伺服器應用可靠的選擇。


NAND 類型 112層
3D TLC
96層
3D TLC
64層
3D TLC
位元/儲存單元 3 3 3
晶圓密度 ★★★★ ★★★ ★★★
效能 ★★
耐用度(P/E cycles) 3K 3K 1K
資料保存可靠度(Data retention) ★★ ★★
功耗 普通 普通 普通
成本/Gb $ $$ $$$
特色 適合高效能工業應用 適合固態硬碟與大部分工業應用 一般用於消費性市場

*註:寫入抹除次數(P/E cycles)會根據flash的類別以及產品製程而有所差別。

速度效能提升

除提高儲存密度,BiCS5也具備更快的傳輸速度。與前一代相比,BiCS5的I/O效能提高了50%,運用在PCIe Gen 4x4固態硬碟可以有突破性的速度增長,低延遲特性有效支援高工作負載工業應用。

進階技術導入

為加強資料儲存可靠度,創見將112層3D NAND快閃記憶體與關鍵技術整合,其中包含寬溫、SLC caching、RAID engine和LDPC ECC等,目的為強化儲存效能並延長裝置使用壽命,讓112層3D NAND快閃記憶體達到更高的資料儲存完整性,提供繁重的工業儲存應用更持久耐用的儲存裝置。

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