SLC(Single-Level Cell)儲存一位元資料於每個記憶單元，使得SLC具有較低的功耗及較佳的續航力。SLC的缺點包含較高的製造成本及較低的密度。
MLC(Multi-Level Cell)儲存兩位元資料於每個記憶單元，使其在同容量的NAND 快閃裝置內儲存雙倍的資料量。同時，MLC提供較低的製造成本。然而，MLC相較SLC多儲存一位元於每個單元，使得MLC具有較高的功耗及較低的續航力。
TLC(Triple Level Cell)儲存三位元資料於每個記憶單元，使其在同容量的NAND 快閃裝置內儲存三倍的資料量。同時，TLC較上述的SLC和MLC提供最低的製造成本。然而，TLC相較MLC多儲存一位元於每個單元，使得TLC具有最大的功耗及最低的續航力。